Выращивание рассады.

Технология выращивания рассады дыни сходна с технологией выращивания рассады огурца. До появления всходов температуру субстрата рекомендуют поддерживать на уровне 30 0С, после появления — снижать до 20-25 0С. Температура воздуха в этот период — 23 0С днем ( + 1-20С в зависимости от освещенности) и 210С ночью. При ранних сроках посадки в зимние теплицы растения досеивают по 12-17 часов в сутки на уровне 5000-6000 лк, а при более поздней высадке в пленочные теплицы рассаду не досвечивают [26,34,77,79].

При выращивании рассады дыни для парников рекомендуется более холодный температурный режим: до появления всходов температуру субстрата поддерживают на уровне 25 0С, после появления всходов температуру воздуха поддерживают в течении четырех дней на уровне 17-18 0С, далее температура днем в пасмурную погоду — 20-22 0С, в солнечную — 25 0С, ночью — 16-17 0С [27].

Для защиты от почвенных патогенов и пониженной температуры грунта дыню часто прививают на растения семейства тыквенные — различные виды тыквы, устойчивые к фузариозу сорта дыни, лагенарию и др. [9,21,34,71,81,109].

Наибольшее распространение метод прививки дыни на тыквенные нашел в Японии, где привитой рассадой занято около 60 % дыни в пленочных теплицах и 48 — в остекленных [71].

Классическим объектом подвоя для прививки дыни является тыква. При этом отмечается, что при прививке на сильнорослые виды тыквы зачастую наблюдается ухудшение завязываемости плодов и снижение их качества, поэтому в качестве подвоя в наибольшей степени подходят слаборослые виды тыквы, в частности C. moschata [53,71].

Описано много способов прививки дыни, но наиболее рациональными являются способы прививки при которых не требуется последующей обвязки компонентов. Одним из таких способов является «прививка в укол», которую проводят на подвоях с выполненным стеблем — лагенарии, тыкве бенинказе и др. [13,21,71,77,109].

Посев подвоя проводят на 2-3 дня позже, чем привоя. Лучше брать подвой с одним настоящим листом. Для лучшего срастания компонентов рекомендуется поддерживать температуру воздуха на уровне 25-30 0С и влажность 95-98 % [9].

Прививка повышает адаптивность дыни к неблагоприятным условиям окружающей среды. Привитые растения более урожайны, их плоды содержат больше растворимых сухих веществ, но сильнее поражаются ложной мучнистой росой, растения сильно растут и хуже завязывают плоды. Кроме того, плоды быстрее ферментируются и на них появляются зеленые пятна [13,51,60,71].

Прививка требует больших затрат труда и средств. Однако эти затраты часто не оправдывается [45,109]. Снижение затрат возможно за счет меньшей плотности посадки привитых растений, которые отличаются мощным ростом. Для еще более разреженного размещения растений их формируют в два стебля [95].5.3. Посадка.

Высаживают рассаду в возрасте 30 — 35 дней, при посадке переросшей рассадой (более 30-35 дней) значительно снижается урожай [31,45,46]. Рассаду высаживают, не заглубляя корневой шейки, так как подсемядольное колено восприимчиво к грибным болезням [45,95].

Схема посадки зависит от силы роста растений, формировки, агротехники, условий среды и других факторов [40,77]. Загущенная посадка ведет к уменьшению размера плодов и снижению содержания сахаров в них. При загущенной посадке наблюдается интенсивный рост главных стеблей в высоту, независимо от способа формировки (в один или два стебля) [24,27].

В нашей стране рекомендуют посадку дыни в зимнюю теплицу по схеме 160 х 50 см, а слаборослые сорта типа Ожен более загущенно — 160 х 30-40 [26].

В остекленных теплицах обычно сажают по два растения на квадратный метр. В Голландии вдоль секции теплицы с пролетом 3,2 м дыню высаживают в два или четыре ряда. Двухрядная схема посадки (160 X 30-50) c V-образной подвязкой стеблей в большей степени подходит для продленной культуры, поскольку побеги второй волны плодоношения растут в лучших условиях освещенности. Для продленного и короткого оборотов более перспективна четырехрядная схема посадки с расстоянием в ряду 60-80 см (1,8-2,1 раст/м2 ). При таком размещении растения лучше освещаются в начальный период роста. При формировке в два стебля растения сажают реже [45,46,47,48,79,80,95].